专利名称：一种III族氮化物衬底的生长方法、衬底以及LED专利类型：发明专利
发明人：徐耿钊,王建峰,刘争晖,任国强,蔡德敏,钟海舰,樊英
民,徐科
申请号：CN201110078131.8申请日：20110330公开号：CN102201503A公开日：20110928
摘要：一种III族氮化物衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底的材料为铜；在支撑衬底表面形成石墨烯层；在石墨烯层表面形成III族氮化物半导体层，此步骤中III族氮化物半导体层的最高生长温度低于铜的熔点。本发明的优点在于，采用既导电又具有较高熔点的金属铜衬底，依次生长石墨烯和III族氮化物，生长工艺简单，且不会在生产过程中引入杂质。
申请人：苏州纳维科技有限公司,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：215125 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
国籍：CN
代理机构：上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)
代理人：翟羽
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容