专利名称：用于半导体器件的掩模的制造方法专利类型：发明专利发明人：金英美
申请号：CN200810126235.X申请日：20080626公开号：CN101334586A公开日：20081231
摘要：一种制备用于半导体器件的掩模方法，包括检测半导体中用于掩模的布局数据，以及纠正布局数据中违反该设计规则的任何误差，填充布局数据中的小凹入部分，在凹入部分－填充布局数据中实施光学邻近校正，以及利用受到光学邻近校正处理的凹入部分－填充布局数据来产生掩模图案。通过这个工艺，可以通过受到光学邻近校正处理来简化布局数据库并且使得可引起不必要的光学邻近校正(OPC)问题的任何误差最小化。
申请人：东部高科股份有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
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