专利名称：倒装芯片发光二极管器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：郭志友,孙慧卿,杨晛,衣新燕,孙杰,黄晶,郭敏申请号：CN201510584646.3申请日：20150915公开号：CN105609611A公开日：20160525
摘要：本发明公开一种倒装芯片发光二极管器件，包括正电极、倒装芯片和负电极，所述倒装芯片依次包括产生空穴的p型层、电子和空穴复合的量子阱层、产生电子的n型层和晶格匹配缓冲及衬底层，所述正电极和负电极为器件的焊接电极，所述正电极和负电极与晶格匹配缓冲及衬底层的朝向相反，所述倒装芯片的主要发光投射到晶格匹配缓冲及衬底层的方向。通过本发明的设计，减小了倒装芯片的尺寸，增加了发光面积，提高了发光二极管器件的响应速率。
申请人：华南师范大学
地址：510631 广东省广州市天河区中山大道西55号
国籍：CN
代理机构：广州粤高专利商标代理有限公司
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