专利名称：一种纳米硅薄膜的制备方法专利类型：发明专利发明人：刘宏,施毅
申请号：CN200710190436.1申请日：20071123公开号：CN101170061A公开日：20080430
摘要：一种涉及半导体微电子和光电子器件中纳米硅薄膜的制备方法，采用射频感应耦合等离子体系统设备(ICP)，利用RF(射频)感应耦合等离子体化学气相沉淀方法，在单晶硅片或绝缘层衬底上快速生长一层微结构可调、晶粒大小均匀的纳米硅薄膜，从而形成性能良好的、具有广泛应用前景的纳米硅半导体薄膜。本发明方法与传统的集成电路工艺兼容，工艺简单，成本低廉。
申请人：苏州科技学院
地址：215009 江苏省苏州市苏州高新区苏州科技学院(石湖校区)数理学院
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人：马明渡
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