第３６卷第３期 曲靖师范学院学报 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＱＵＪＩＮＧ ＮＯＲＭＡＬ ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ Ｖ０１．３６ Ｎｏ．３ Ｍａｙ．２０１７ ２０１７年５月 常压化学气相沉积法制备二维六方氮化硼 茜，陈珊珊 （厦门大学摘物理科学与技术学院，福建厦门３６１００５） 要：采用常压化学气相沉积（ＡＰＣＶＤ）法制备二维六方氮化硼的基本方法，系统探究衬底抛光 处理、衬底与前驱体间距、前驱体加热温度、生长温度等对六方氮化硼生长的影响，通过优化调控生长因 子，成功制备出高质量单层六方氮化硼薄膜． 关键词：常压化学气相沉积；六方氮化硼；二维材料；单原子层 中图分类号：０４８４．１ 文献标识码：Ａ 文章编号：１００９—８８７９（２０１７）０３—００２３—０７ 探讨二维ｈ－ＢＮ的可控制备技术 Ｏ 引 言 １ 常压化学气相沉积法制备二维ｈ－ＢＮ 六方氮化硼（ｈ．ＢＮ），作为新兴的二维纳米 材料，呈现诸多优异、独特的物理化学特性，成为 近年来的研究热点．ｈ—ＢＮ具有与石墨烯相似的 实验采用常压化学气相沉积法（ＡＰＣＶＤ）制 备ｈ—ＢＮ样品，图１ａ给出了ＡＰＣＶＤ生长系统示 六边形蜂窝状结构，一５．９ｅＶ的宽带隙，高导热 性，化学稳定性，以及独特的电、磁和光学特 性 ．此外，ｈ－ＢＮ具有原子级平整面结构，没 有悬挂键，可以避免表面电荷的积累，是构筑高 意图，其中 与 分别为前驱物加热温度与样 品生长温度，生长阶段用外置加热带调制 温 度， 为管式炉中心恒温区温度．实验采用铜箔 （厚度２５ ｍ，纯度为９９．８％，Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ）作为催 化衬底，实验前先将铜箔进行电化学抛光处 理 １３，１５］后折成如图１ｂ所示的铜盒子放入管式炉 恒温区．盛有前驱物氨硼烷的小石英舟放置于石 性能石墨烯、二硫化钼等二维材料器件非常理想 的介电层ｌ３ Ｊ．然而受限于目前的制备技术， ｈ－ＢＮ薄膜的大面积、高质量可控制备仍是一个巨 大的挑战．ｈ－ＢＮ的制备包含化学气相沉积法 （ＣＶＤ） 、超高真空化学气相沉积法 （ＵＨＶＣＶＤ） 、机械剥离法、离子束溅射生长 法 ］、磁控溅射沉积法＿ｌ。。等多种方法，其中ＣＶＤ 法可制备出厚度和晶体尺寸可控的高质量二维 英管进气端，管壁外包裹一圈铝箔再用加热带缠 绕使前驱体受热分解更均匀．如图１ｃ所示，典型 的ＡＰＣＶＤ制备ｈ－ＢＮ的流程包括，首先在石英管 内通人８ｓｃｃｍ氢气和２００ｓｃｃｍ氩气，开启管式 炉，待其升温加热至生长温度后，退火２０ｍｉｎ，进 一ｈ－ＢＮ薄膜，应用较为普遍．目前，常用ＣＶＤ生长 二维ｈ－ＢＮ薄膜的衬底包含铂 ，“］、铜 、 铁¨ 、镍 等，其中以铜箔应用最为广泛，且成 本低适合规模化生产．本文采用常压ＣＶＤ方法 制备单层ｈ－ＢＮ，通过调控衬底处理方式、衬底与 前驱物间距、前驱物加热温度、生长温度等条件， 步清除附着在铜箔表面的有机物或氧化物，使 铜箔表面重结晶有利于后续ｈ－ＢＮ的生长．退火 完成后维持加恒温区温度不变，将前驱物氨硼烷 加热至特定温度并维持一段时间．待样品生长完 成后快速移除加热带，关闭管式炉电源，将氢气 流量降为０ｓｃｃｍ，降温至室温，取出样品． 收稿日期：２０１７—０３—１０ 基金项目：福建省自然科学基金科技项目“大面积石墨烯／六方氮化硼异质薄膜的制备及器件研究” （２０１５Ｊ０６０１６）． 作者简介：姚茜，厦门大学物理科学与技术学院研究生，主要从事二维纳米材料制备研究． ２３・ 通讯作者：陈珊珊，厦门大学物理科学与技术学院教授，主要从事低维纳米材料制备与物性研究． ．第３期 曲靖师范学院学报 第３６卷 氢气 氩气 （ｂ） 一 。一 囊 Ｏ ｌＯ ２Ｏ ３０ ４０ ５０ ６０ ７０ 时间（分钟） （Ｃ） 图Ｉ （ａ）ＡＰＣＶＤ生长系统示意图，其中 为加热带温度， 为恒温区中心温度； （ｂ）抛光后的铜箔包裹成铜盒子；（ｃ）ＡＰＣＶＤ生长ｈ－ＢＮ的基本实验流程 未抛光的铜 抛光铜 ２ 生长因子对二维ｈ—ＢＮ制备的影响及 讨论 ２．１衬底的抛光处理 为了探究铜催化衬底表面粗糙度对ｈ—ＢＮ常 压生长的影响，实验中选取同一块铜箔裁成两 片，一片用浓度为０．０３ｇ／ｍＬ的过硫酸铵溶液处 理５分钟，去除铜表面的钝化层；另一片做电化 学抛光处理，处理后的抛光铜箔表面光滑并且具 有光亮的金属光泽（图２ａ）．随后进行常规 ＡＰＣＶＤ生长ｈ—ＢＮ，称取１．５ｍｇ前驱物，生长温 度与前驱物加热温度分别设置为１０２０℃和 ７５℃，保持生长时间一致，生长完成后应用扫描 电子显微镜（ＳＥＭ）观察铜盒子内表面样品表面 形貌．从图２ｂ可以看出，未抛光的铜衬底上ｈ— ＢＮ成核密集，晶粒尺寸小（几十～百ｎｍ），形状 不规则，许多区域出现拉长的细长条状．而在图 （ｂ） ２ｃ中，抛光铜表面生长的ｈ—ＢＮ成核密度显著降 低 ，晶粒尺寸在２／，ｚｍ左右，形貌多为规则的 三角形．由此可见，通过对铜箔衬底进行电化学 抛光处理，可显著降低ｈ—ＢＮ的成核密度，并且获 得形状规则的大尺寸ｈ—ＢＮ晶粒． ．（ｃ） 图２铜箔衬底抛光处理对ｈ－ＢＮ生长的影响．ｆ ａ）未抛 光与抛光的铜箔；（ｂ—ｔ－）未抛光铜（ｂ）和抛光铜（Ｃ）衬底 上生长ｈ－ＢＮ的ＳＥＭ图像． ２４． 姚茜，陈珊珊：常压化学气相沉积法制备二维六方氮化硼 ２．２衬底与前驱物间距 向，Ａｌ至Ａ３处ｈ－ＢＮ的成核密度和覆盖度均逐 渐降低．如图３ｄ所示，统计获得不同衬底位置处 ｈ．ＢＮ晶粒的生长速率随衬底距前驱物的距离增 加而迅速减小，成核密度亦逐渐下降．这与常压 生长的特性有关，由前驱物氨硼烷分解产生的气 态环硼氮烷随着载气由右至左逐渐进入样品生 在ＡＰＣＶＤ制备ｈ—ＢＮ过程中，实验观察到同 一片铜箔衬底不同位置处ｈ．ＢＮ的生长结果并不 完全相同．如图１ａ所示，在铜盒子衬底的内表面 分别取Ａ１，Ａ２，Ａ３三个位置进行ＳＥＭ表征观 测，这三个点与前驱物的距离依次是２５，２６和 ２７ｃｍ．如图３ａ，在铜箔的Ａ１位置处，ｈ－ＢＮ的成 核密度高，许多晶粒开始结合并逐渐成膜．在铜 箔的Ａ２位置处，ｈ—ＢＮ的成核密度降低，且ｈ－ＢＮ 呈现规则正三角形形状，有些晶粒边长超过５ ｍ 长区 ’ ，衬底距前驱物越近的位置，环硼氮 烷的浓度越高 ．环硼氮烷的浓度直接影响ｈ． ＢＮ的初始成核，并为ｈ－ＢＮ晶粒快速生长提供必 需的反应物．然而高成核密度会引入小的晶粒尺 寸和更多的晶界缺陷，可见铜箔中心Ａ２位置处 （图３ｂ）．在铜箔的Ａ３位置处，ｈ－ＢＮ晶粒在铜箔 表面稀疏散布，成核密度进一步降低，形状呈不 规则的六边形或圆形（图３ｃ）．综上，沿着气流方 具有适中的ｈ—ＢＮ成核密度和生长速率，并可制 备出具有规则形貌的ｈ．ＢＮ晶粒． （ｂ） ×ｌ０５ Ｏ．８ ＝ ｏ．４＝ — ０黾 ８ 一 衬底与前驱物间距（ｃｍ） （ｃ） （ｄ） 图３衬底与前驱物间距对ｈ－ＢＮ生长的影响．（ａ—ｃ）铜箔上Ａ１（ａ），Ａ２（ｂ）和Ａ３（ｃ） 三个区域对应的ｈ－ＢＮ的ＳＥＭ图像；（ｄ）ｈ－ＢＮ晶粒生长速率和成核密度对衬底与前驱物间距的依赖关系 ２．３前驱物加热温度 前驱物氨硼烷开始缓慢分解，形成少量气态环硼 前驱物氨硼烷的加热温度 ．直接控制氨硼 烷的分解速率 ．为了研究７１．对ｈ—ＢＮ生长的 影响，实验将生长阶段外置加热带温度７１ 分别 氮烷进入生长区，在催化衬底表面零星合成几个 不足１ ｍ的小三角形ｈ．ＢＮ晶粒（图４ａ）．如图 ４ｂ—ｅ所示，随着前驱物温度的增加，氨硼烷分 设为５５℃，６５℃，７５℃，８５℃，９０℃和９５ｑＣ，保持 其他生长参数均相同，即称取２ｍｇ氨硼烷， 统 一解速率逐渐增大，环硼氮烷源源不断地进入反应 区，在铜箔衬底表面脱氢、成核、生长．观察到ｈ． ＢＮ的成核密度随着 ．升高而不断提高，同样的 生长时间ｈ—ＢＮ晶粒尺寸则呈现先增大后减小的 设置为１０２０℃，生长时间均为１０ｍｉｎ，分别进 行ＡＰＣＶＤ生长，待生长完成后依次取样品Ａ２ 区域进行ＳＥＭ表征对比． 当 为５５℃时，未达到氨硼烷热分解的温 度，衬底上并无ｈ－ＢＮ晶粒形成．当 为６５ｑＣ时， 趋势．统计分析ｈ—ＢＮ的成核密度随着７’．升高而 逐渐提高，在 超过９０￣Ｃ后有一个明显的增大． 这主要是由于温度升高，越接近氨硼烷的熔点 ・２５・ 第３ 曲靖师范学院学报 第３６巷 （１０４ ），氨硼烷分解速率越快，极短时间内大 量的环硼氮烷一同随载气进入样品生长区，在铜 箔衬底上快速密集成核，生长出形状不规则的微 小尺寸ｈ－ＢＮ晶粒．ｆ｝｛此可见，随着前驱物加热温 再减小的趋势（ ４ｆ）．从实验结果分析，前驱物 的加热温度 ．为８５％时，氨硼烷的分解速率较 快，ｈ－ＢＮ晶粒的形状规则，生长速率最快，且成 核密度适中，可以快速合成大晶粒、高质量 ｈ—ＢＮ． 度的升高，ｈ—ＢＮ的成核密度逐渐提高，且在９０Ｃｃ 后急剧增加，对应的品粒生长速率则旱现先增加 ～７ ． ・ ◆・ ．． ・ ，＝＝● ・皇．Ｉ， ＿ ｒ２ ・ｌ ・・ 一０． 兰 ＝ ｛Ｏ． 主 、 ． 前驱物加热温度（。Ｃ） 图４前驱物加热温度 对于Ｉ ＢＮ生长的影响．（ａ—ｅ）不同７ ．对应生长ｈ－ＢＮ的ＳＥＭ图像 （ｆ．）ｈ－ＢＮ晶粒生长速率、成核密度对７１．的依赖关系 ２．４衬底生长温度 得陔温度下生长速率和成核密度都达到最高（图 接父系到环硼氮烷在铜 ５ｔ１）．从实验结果分析（罔５ｅ—ｆ），随着生长温度 讨底生长温度 箔衬底表面的脱氢分解反应，影响ｈ－ＢＮ的成核 生Ｋ．为了进一步研究生长温度对ｈ．ＢＮ生长的 的升高，在铜箔催化衬底上ｈ．ＢＮ晶粒的生长速 率和成核密度均旱现上升趋势．生长温度为 １０５０ｏＣ时，铜箔催化衬底的活性够高，环硼氮烷 的分解速率够快，ｈ．ＢＮ品粒的生长速率最快，可 以快速合成大品粒ｈ—ＢＮ． ２．５高质量单层ｈ－ＢＮ薄膜制备 综合考虑上述实验因子对ｈ—ＢＮ生长的影 影响，实验将生长温度 依次设置为９８０￣Ｃ， １０００℃，ｌ０２０℃和１０５０ ，保持其他生Ｋ参数一 致，即称取２ｍｇ氯伽】烷． 统一设置为８５ ｏ【＝，生 Ｋ时问为１０ｒａｉｎ，分别进行常规生Ｋ，待生长完 成后，依然取铜箔『ｆ１心ＩＫ域Ａ２分别进行ＳＥＭ 表征． 响，进一步制备满 层ｈ—ＢＮ薄膜时，选择对ｃｕ 衬底进行电化学抛）ｌ（＝处理，前驱物加热温度和生 长温度分别设置为８５ 和１０５０ｏＣ的生长条件， 适 控制生长时间，即可在铜箔表面获得均匀的 满 层ｈ－ＢＮ薄膜． 奠¨ ５ａ所示， 【，７ 为９８０￣Ｃ时，铜衬底的催 化活性较弱，仅看到少数ｔｌ－ＢＮ晶粒成核．随着生 长温度的升高，铜衬底的催化活性逐渐增强，环 硼氮烷分解效率也迅速提高． 为１Ｏ００￣Ｃ时， ＿１『观察到ｈ．ＢＮ在锏表晰ｑ三长并形成尺寸约为 进一步对所制备的满单层ｈ－ＢＮ薄膜进行结 构性质分析．通过ＳＥＭ观测到铜箔表面完整覆 盖均匀ｈ－ＢＮ薄膜（ ６ａ），反应所制备的薄膜厚 度…致．为了进一步表 所制备的ｈ—ＢＮ薄膜质 量，将样品转移到具有９０ｎｍ厚度二氧化硅层的 ２Ｉｘｍ的规则 角形ｌ 粒（图５ｂ）．Ｔ，升至ｌ０２０℃ 时，幸寸底的催化活性提升，环硼氮烷的分解速率 增－』Ｊ【】，１１－ＢＮ 长速率提高，生长出４～５ ｍ的 ｈ—ＢＮ晶粒（图５（・）． 、 ｛７ ，为１０５０￣时，衬底催 化活性极强，高温下环硼氮烷分解更彻底彤成大 量ＸＪｔ？，性粒子在衬底表面成核、生长‘、 。Ｊ，同 １硅片Ｊ二．从光学冈像 看到ｈ－ＢＮ薄膜衬度均匀， 表明所制备的薄膜厚度均匀（罔６ｂ）． ６ｃ给出 ｈ—ＢＮ薄膜Ｒａｍａｎ谱峰位于１ ３７ １ ｃｍ．信号强度 样生长Ｈ，ｆｌ司制备出Ｊ 寸～８￣，Ｌｎｌ的ｈ—ＢＮ品粒，使 ・２６・ ‘● ◆ － ｌ ． ・’． ～．。ｉ ： ’．． ● ● 一 １Ｏｐｌｎ＾’ （ａ） ０．Ｏ３ ’ｉ ０ 呈０ 辱Ｏ 剥０ （＿０．Ｏ２ ＝ 、 善０．０１ 堡０ ９８０ １０００ １０２０ １０４０ １０６０ 警 生长温度（℃） ９８０ １０００ １０２０ １０４０ １０６０ 生长温度（℃） （（１） （ｅ） （ｆ） 图５ 衬底生长温度 对于ｈ－ＢＮ生长的影响．（ａ—ｔｔ）不同７＂２对应ｈ－ＢＮ生长的ＳＥＭ图像 ，◆－ ， （ｒ—ｆ）ｈ－ＢＮ晶粒生长速率（ ）和成核密度（１厂）对Ｔ２的依赖关系 ， 高，符合 层ｈ ＢＮ的拉曼特征，也表明所制备的 ●■ ≯●ｌ Ｂｌ ｓ与Ｎ１ ｓ的能级峰位分刖位于１９０．２４ｅＶ和 ｈ—ＢＮ样品质 较高 ．进一步利Ｊ｛３原子力 微镜（ＡＦＭ）确认ｈ－ＢＮ样 ｎｌ 度仅为０．４３ｎ［ＴＩ，符 合单原子层ｈ－ＢＮ特 （ ６ｄ）．此外，Ｘ射线光 电子能谱川于标定所制备ｌ 一ＢＮ的成分，获得 ．，▲ ３９７．８８ｅＶ，化学计量分析得到元素Ｂ、Ｎ比值为 １：１．０２．实验结果与文献结果卡Ｈ符 ，也进 步验证所制备的ｈ－ＢＮ薄膜元素组成和成键． 、、１ａｖｅｎｕｍｂｅｒ（ｃｍ—ｌ１ （ａ） （【・） ｉ 卑 譬 尝 Ｂｌ￣ｄｌｎｇ ｅｎｅｒｇｙ（ｅＶ） ＢＩＩｔｄｌｌｆ，ｇ ｅｎｅｒｇｙ【．Ｖ） （ｅ） （ｆ） 图６满单层ｈ－ＢＮ性质表征．（ａ）铜箔表面单层ｔｌ－ＢＮ的ＳＥＭ图像；（ｂ）转移到硅片上单层ｈ－ＢＮ的光学图像；【ｔ‘）单层 ｌ１一ＢＮ的Ｒａ 。ｎ光谱图；（【１）单层ｈ－ＢＮ的Ａ｝、Ｍ图像及其厚度表征；（ｅ—ｆ）单层ｈ－ＢＮ薄膜ＸＩ’ｓ能谱中Ｂ１ ｓ（ ）和Ｎ１ ｓ（ｆ） 的能级峰 ・２７・ 第３期 曲靖师范学院学报 第３６卷 ［９］ＷＡＮＧ Ｈ，ＺＨＡＮＧ Ｘ，ＭＥＮＧ Ｊ，ｅｔ ａ１．Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ３ 结论 Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｆｅｗ—Ｌａｙｅｒ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ ｏｎ Ｃｏｐｐｅｒ Ｆｏｉｌｓ Ｕｓｉｎｇ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 实验采用ＡＰＣＶＤ法，系统研究了衬底处理、 衬底与前驱体间距、前驱体加热温度、生长温度 ［Ｊ］．Ｓｍａｌｌ，２０１５，１１（１３）：１５４２—１５４７． ［１０］ＳＵＴＴＥＲ Ｐ，ＬＡＨＩＲＩ Ｊ，ＺＡＨＬ Ｐ，ｅｔ ａ１．Ｓｃａｌａｂｌｅ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ｕｎｉｆｏｒｍ Ｆｅｗ—Ｌａｙｅｒ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ 等生长因子对ｈ－ＢＮ可控制备的独立影响．进一 步通过ＳＥＭ、ＡＦＭ、ＸＰＳ、Ｒａｍａｎ光谱等对所制备 ｈ－ＢＮ表征确认材料的均匀性和高品质．实验结 果表明，通过优化生长条件，可以调控ｈ—ＢＮ的成 Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｉｒｃ Ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０１３，１３ （１）：２７６—２８１． ［１１］ＹＡＮＧ Ｇ，ＷＥＮＣＡＩ Ｒ，ＴＥＮＧ Ｍ，ｅｔ ａ１．Ｒｅｐｅａｔｅｄ 核密度与生长速率．在实现较高成核密度的同 时，提高晶粒的生长速率，最终实现高质量ｈ－ＢＮ 薄膜的高效制备． 参考文献： ［１］ＬＩＰＰ Ａ，ＳＣＨＷＥＴＺ Ｋ Ａ，ＨＯＮＯＬＤ Ｋ．Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｂｏ— ｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ：Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ，Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９８９， ５：３—９． ［２］ＫＩＭ Ｋ Ｋ，ＫＩＭ Ｓ Ｍ，ＬＥＥ Ｙ Ｈ．Ａ Ｎｅｗ Ｈｏｒｉｚｏｎ ｆｏｒ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｆｉｌｍ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｋｏ— ｒｅａｎ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，２０１４，６４（１０）：１６０５—１６１６． ［３］ＢＲＩＴＮＥＬＬ Ｌ，ＧＯＲＢＡＣＨＥＶ Ｒ Ｖ，ＪＡｕＬ Ｒ，ｅｔ ａ１． Ｆｉｅｌｄ—Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｂａｓｅｄ ｏｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｇｒａｐｈｅｍｅ Ｈｅｔｅｏｒｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［Ｊ］．Ｓｃｉｅｎｃｅ，２０１２，３３５ （６０７１）：９４７—９５０． ［４］ＤＥＡＮ Ｃ Ｒ，ＹＯＵＮＧ Ａ Ｆ，ＭＥＲＩＣ Ｉ，ｅｔ ａ１．Ｂｏｒｏｎ Ｎｉ－ ｔｌｉｄｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｏｆｒ Ｈｉ【ｇｈ—Ｑｕａｌｉｔｙ Ｇｒａｐｈｅｎｅ Ｅｌｅｃｔｏｒｎｉｃｓ ［Ｊ］．Ｎａｔｕｒｅ Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１０，５（１０）：７２２ —７２６． ［５］ＫＩＭ Ｋ Ｋ，ＨＳＵ Ａ，ＪＩＡ Ｘ，ｅｔ ａ１．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ｍｏｎｏ— ｌａｙｅｒ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ ｏｎ Ｃｕ Ｆｏｉｌ Ｕｓｉｎｇ Ｃｈｅｍｉ— ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０１２，１２ （１）：１６１—１６６． ［６］ＫＩＭ Ｇ，ＪＡＮＧ Ａ Ｒ，ＪＥＯＮＧ Ｈ Ｙ，ｅｔ ａ１．Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｈｉｇｈ—Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ，Ｓｉｎｇｌｅ—Ｌａｙｅｒ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉ－ ｔｉｒｄｅ ｏｎ Ｒｅｃｙｃｌａｂｌｅ Ｐｌａｔｉｎｕｍ Ｆｏｉｌ［Ｊ］．Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ２０１３，１３（４）：１８３４—１８３９． ［７］ＬＥＥ Ｙ—Ｈ，ＬＩＵ Ｋ—Ｋ，ＬＵ Ａ—Ｙ，ｅｔ ａ１．Ｇｒｏｗｔｈ Ｓｅ— ｌｅｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ—Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｌａｙｅｒｓ ｏｎ Ｎｉ ｗｉｔｈ Ｖａｒｉｏｕｓ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎｓ［Ｊ］．ＲＳＣ Ａｄｖａｎｃｅｓ， ２０１２，２（１）：１１１—１１５． ［８］ＭＯＲＳＣＨＥＲ Ｍ，ＣＯＲＳＯ Ｍ，ＧＲＥＢＥＲ Ｔ，ｅｔ ａ１．Ｆｏｒ－ ｍａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｎｇｌｅ Ｌａｙｅｒ ｈ－ＢＮ ｏｎ Ｐｄ（１１１）［Ｊ］．Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００６，６００（１６）：３２８０—３２８４． ・２８・ ａｎｄ Ｃｏｎｔｏｒｌｌｅｄ Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ，Ｂｉｌａｙｅｒ ａｎｄ Ｆｅｗ —Ｌａｙｅｒ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ ｏｎ Ｐｔ Ｆｏｉｌｓ［Ｊ］． ＡＣＳ Ｎａｎｏ，２０１３，７（６）：５１９９—５２０６． ［１２］ＦＥＩＧＥＬＳＯＮ Ｂ Ｎ，ＢＥＲＭＵＤＥＺ Ｖ Ｍ，ＨＩＴＥ Ｊ Ｋ，ｅｌ ａｔ．Ｇｒｏｗｔｈ ａｎｄ Ｓｐｅｃｔｏｒｓｃｏｐｉｃ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ ａｎｄ Ｆｅｗ—Ｌａｙｅｒ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ ｏｎ Ｍｅｔｌａ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏｓｃｌａｅ，２０１５，７（８）： ３６９４—３７０２． ［１３］ ｒＡＹ Ｒ Ｙ，ＧＲＩＥＰ Ｍ Ｈ，ＭＡＬＬＩＣＫ Ｇ，ｅｔ １ａ．Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｌａｒｇｅ Ｓｉｎｇｌｅ・—Ｃｒｙｓｔｌａｌｉｎｅ Ｔｗｏ——Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｈｅｘａｇｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｐｏｌｉｓｈｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ［Ｊ］． Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０１４，１４（２）：８３９—８４６． ［１４］ＣＡＮＥＶＡ Ｓ，ＷＥＡＴＨＥＲＵＰ Ｒ Ｓ，ＢＡＹＥＲ Ｂ Ｃ，ｅｔ １ａ． Ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ Ｃｏｎｔｏｒｌ ｆｏｒ Ｌａｒｇｅ，Ｓｉｎｇｌｅ Ｃｒｙｓｔｌａｌｉｎｅ Ｄｏ－ ｍａｉｎｓ ｏｆ Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ ｖｉａ Ｓｉ— ｄｏｐｅｄ Ｆｅ Ｃａｔｌａｙｓｔｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０１５，１５ （３）：１８６７—１８７５． ［１５］ＴＳＡＩ Ｌ Ｗ，ＴＡＩ Ｎ—Ｈ．Ｅｎｈａｎｃｉｎｇ ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｉｒｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ａ Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｇｒａｐｈｅｍｅ— Ｂａｓｅｄ Ｆｉｅｌｄ—Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｕｓｉｎｇ Ｅｌｅｅｔｒｏｐｏｌｉｓｈｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｆｏｉｌ ｏｆｒ Ｇｒａｐｈｅｎｅ Ｇｒｏｗｔｈ［Ｊ］．ＡＣＳ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉｌａｓ，２０１４，６（１３）：１０４８９—１０４９６． ［１６］ＢＡＵＭＡＮＮ Ｊ，ＢＡＩＴＡＬＯＷ Ｆ，ＷＯＬＦ Ｇ．Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ａｍｉｎ０ｂｏｒａｎｅ （Ｈ２ＢＮＨ２）ｘ ｕｎｄｅｒ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｒｅｌｅａｓｅ［Ｊ］．Ｔｈｅｒｍｏ・ ｃｈｉｍｉｃａ Ａｃｔａ，２００５，４３０（１—２）：９—１４． ［１７］ＷＡＮＧ Ｌ，ｗＵ Ｂ，ＣＨＥＮ Ｊ，ｅｔ ａ１．Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ Ｈｅｘａ— ｇｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｆｉｌｍｓ ｗｉｔｌｌ Ｌａｒｇｅ Ｄｏｍａｉｎ Ｓｉｚｅ ａｎｄ Ｃｌｅａｎ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｆｏｒ Ｅｎｈａｎｃｉｎｇ ｔｈｅ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｏｆ Ｇｒａ－ ｐｈｅｎｅ—Ｂａｓｅｄ Ｆｉｅｌｄ—Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．Ａｄ－ ｖｎａｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉｌａｓ，２０１４，２６（１０）：１５５９—１５６４． ［１８］ＷＡＮＧ Ｙ，ＹＡＭＡＭＯＴＯ Ｙ，ＫＩＹＯＮＯ Ｈ，ｅｔ ａ１． Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ Ａｍｂｉｅｎｔ Ｇａｓ ａｎｄ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｎ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉ－ ｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｓｐｈｅｒｅｓ Ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｐｙｒｏｌｙｓｉｓ ｏｆ Ａｍｍｏｎｉａ Ｂｏｒａｎｅ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ，２００９，９２（４）：７８７— 姚７９２． 茜，陈珊珊：常压化学气相沉积法制备二维六方氮化硼 Ｓｉｇｎａｔｕｒｅｓ［Ｊ］．Ｓｍａｌｌ，２０１１，７（４）：４６５—４６８． ［２２］ＦＥＩＧＥＬＳＯＮ Ｂ Ｎ，ＢＥＲＭＵＤＥＺ Ｖ Ｍ，ＨＩＴＥ Ｊ Ｋ，ｅｔ １．Ｇｒｏｗａｔｈ ａｎｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ ａｎｄ Ｆｅｗ—Ｌａｙｅｒ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｉｒｄｅ ［１９］ＧＩＢＢ Ａ，ＡＬＥＭ Ｎ，ＺＥＴＩ＇Ｌ Ａ．Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉ－ ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ ｏｎ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｆｏｉｌｓ［Ｊ］．Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｓｔａｔｕｓ Ｓｏｌｉｄｉ Ｂ，２０１３，２５０（１２）：２７２７—２７３１． ｏｎ Ｍｅｔｌａ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏｓｃｌｅ，２０１５，ａ７（８）： ３６９４—３７０２． ［２０］ＷＡＮＧ Ｌ，ＷＵ Ｂ，ＪＩＡＮＧ Ｌ，ｅｔ ａ１．Ｇｒｏｗｔｈ ａｎｄ Ｅｔｃｈ－ ｉｎｇ ｏｆ Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ［Ｊ］．Ａｄ－ ｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉｌａｓ，２０１５，２７（３３）：４８５８—４８６４． ［２３］ＩＳＭＡＣＨ Ａ，ＣＨＯＵ Ｈ，ＦＥＲＲＥＲ Ｄ Ａ，ｅｔ ａ１．Ｔｏｗａｒｄ ｔｈｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ ［２１］ＧＯＲＢＡＣＨＥＶ ＲＶ，ＲＩＡｚＩ，ＮＡＩＲＲＲ，ｅｔａ１．Ｈｕｎ－ ｔｉｎｇ ｆｏｒ Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ：Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｒａｍａｎ Ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．ＡＣＳ Ｎａｎｏ，２０１２，６（７）：６３７８—６３８５． Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ｔｗｏ．．．ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ ｂｙ Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｙａｏ Ｑｉａｎ，Ｃｈｅｎ Ｓｈａｎｓｈａｎ （Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｘｉａｍｅｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉａｍｅｎ Ｆｕｊｉａｎ，３６１００５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｉｓ ｏｎｅ ｏｆ ｔｈｅ ｃｏｍｍｏｎ ｗａｙｓ ｏｆ ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｉｎｇ ｔｗｏ— ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｈ．ＢＮ．Ｖａｒｉｏｕｓ ｇｒｏｗｔｈ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｏｐｏｌｒｉｓｈｉｎｇ ｏｆ ｍｅｔａｌ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ｔｈｅ ｄｉｓｔａｎｃｅ ｂｅｔｗｅｅｎ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ａｎｄ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ，ｔｈｅ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ ｈｅａｔｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｓ ｗｅｌｌ ａｓ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｒｅ ｓｖｓｔｅｍａｔｉｃａｌｌｙ ｓｔｕｄｉｅｄ ｔｏ ｏｂｔａｉｎ ａ ｂｅｔｔｅｒ ｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇ ｏｆ ｔｈｅ ｈ－ＢＮ ｇｒｏｗｔｈ ｄｙｎａｍｉｃｓ．Ｈｉ ｇｈ ｑｕａｌｉｔｙ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ ｈ－ＢＮ ｆｉｌｍ ｉｓ ｆｉｎａｌｌｙ ａｃｈｉｅｖｅｄ ｔｈｒｏｕｇｈ ｔｈｅ ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ ｇｒｏｗｔｈ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ｈｅｘａｇｏｎａｌ ｂｏｒｏｎ ｎｉｔｉｒｄｅ；ｔｗｏ—ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｍａｔｅｒｉａｌｓ；ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ［责任编辑：崔萍］ ・２９・