又能读又能写、且存取速度快的村储器是什么?

发布网友 发布时间：2022-04-01 18:46

我来回答

共3个回答

热心网友 时间：2022-04-01 20:16

这个叫随机存取存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。

当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系。它主要用来存放操作系统、各种应用程序、数据等。

扩展资料

现代ram依靠电容器来存储数据。电容充电子表1（二进制），不充电代表0。由于电容器或多或少地存在泄漏，如果不进行特殊处理，数据将逐渐丢失。刷新是指周期性地读取电容器的状态，然后根据原始状态对电容器进行充电，以弥补失去的电荷。刷新的需要解释了ram的波动性。

dram利用电容电荷存储原理来存储信息。电路简单，集成度高。由于任何一个电容器都有泄漏电流，当电容器充电时，电容器在一段时间内放电会导致电荷的丢失，从而导致存储信息的丢失。

参考资料来源：百度百科-随机存取存储器

热心网友 时间：2022-04-01 21:34

随即存储器是以相同速度高速地、随机地写入和读出数据（写入速度和读出速度可以不同）的一种半导体存储器。简称RAM。RAM的优点是存取速度快、读写方便，缺点是数据不能长久保持，断电后自行消失，因此主要用于计算机主存储器等要求快速存储的系统。按工作方式不同，可分为静态和动态两类。静态随机存储器（SRAM）的单元电路是触发器，存入的信息在规定的电源电压下便不会改变。SRAM速度快，使用方便。动态随机存储器 （ DRAM ） 的单元由一个金属-氧化物-半导体（MOS）电容和一个MOS晶体管构成，数据以电荷形式存放在电容之中 ，需每隔 2～4毫秒对单元电路存储信息重写一次（刷新）。DRAM存储单元器件数量少，集成度高，应用广泛。只读存储器是只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。英文简称ROM。ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定 ，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。除少数品种的只读存储器（如字符发生器）可以通用之外，不同用户所需只读存储器的内容不同。为便于使 用和大批 量 生产 ，进一步 发 展了可 编 程只读存 储 器（PROM）、可擦可编程序只读存储器（EPROM）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。EPROM需用紫外光长时间照射才能擦除，使用很不方便。20世纪 80 年代制出的 EEPROM ，克服了EPROM的不足，但集成度不高 ，价格较贵。于是又开发出一种新型的存储单元结构同 EPROM 相似的快闪存储器 。其集成度高、功耗低 、体积小 ，又能在线快速擦除 ，因而获得飞速发展，并有可能取代现行的硬盘和软盘而成为主要的大容量存储媒体。大部分只读存储器用金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管制成。

热心网友 时间：2022-04-01 23:08

当然是人啊